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硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

簡要描述：硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

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廠商性質：生產廠家
更新時間：2024-12-27
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品牌	梓冠

硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

〖簡介Introduction〗

梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

〖特性Features〗

n 高速切換

n 高延時精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態波導芯片可靠性強

〖應用Applications〗

n 光控相控陣雷達系統、電子對抗系統

〖主要性能指標 Specifications〗

性能指標 Parameter	單位 Unit	典型值 Typical value	備注 Notes
延時位數 Delay bits	/	7	可定制 Can be customized
最小延時步進 Min.step-delay	ps	2	可定制 Can be customized
可調節最大延時量 Adjustable max.delay	ps	254
延時偏差 Delay deviation	ps	≤±0.5	≤±1@max
延時切換時間 Delay switching time	µs	≤1
插入損耗 Insertion loss	dB	14
各延時態損耗差異 Delay state loss difference	dB	±0.5
回波損耗 Return loss	dB	45
芯片尺寸 Chip dimension	mm	19×11×0.7

2×2 光開關的“交叉"、“直通"傳輸狀態定義如下：

“交叉"狀態（cross 態）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出時，即為"交叉“態（A→D）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號輸出，輸出端 D 沒有光信號輸出，也為"交叉“態（B→C）。

“直通"態（bar 態）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號，輸出端 D 沒有光信號輸出時，即為"直通“態（A→C）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出，也為“直通"態（B→D）。

序號No.	名稱Name	描述 Description	序號No.	名稱 Name	描述 Description
1	DMY	dummy	19	CH5+B	開關 5 正極 bar 態
2	DMY	dummy	20	CH5-	開關 5 負極
3	DMY	dummy	21	CH5+C	開關 5 正極 cross 態
4	DMY	dummy	22	CH6+B	開關 6 正極 bar 態
5	DMY	dummy	23	CH6-	開關 6 負極
6	DMY	dummy	24	CH6+C	開關 6 正極 cross 態
7	CH1+B	開關 1 正極 bar 態	25	CH7+B	開關 7 正極 bar 態
8	CH1-	開關 1 負極	26	CH7-	開關 7 負極
9	CH1+C	開關 1 正極 cross 態	27	CH7+C	開關 7 正極 cross 態
10	CH2+B	開關 2 正極 bar 態	28	CH8+B	開關 8 正極 bar 態
11	CH2-	開關 2 負極	29	CH8-	開關 8 負極
12	CH2+C	開關 2 正極 cross 態	30	CH8+C	開關 8 正極 cross 態
13	CH3+B	開關 3 正極 bar 態	31	DMY	dummy
14	CH3-	開關 3 負極	32	DMY	dummy
15	CH3+C	開關 3 正極 cross 態	33	DMY	dummy
16	CH4+B	開關 4 正極 bar 態	34	DMY	dummy
17	CH4-	開關 4 負極	35	DMY	dummy
18	CH4+C	開關 4 正極 cross 態	36	DMY	dummy

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硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

〖主要性能指標 Specifications〗

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